标准详情
用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法
Dynamic on-resistance test method for GaN high electron mobility transistor(HEMT) in hard-switching circuits
T/CASAS 005-2022现行团体标准
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PDF · 13 页 · 657.24KB
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基础信息
标准号
T/CASAS 005-2022
标准状态
现行
发布日期
2024-03-16
实施日期
2024-03-16
主管部门
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准简介
本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。 本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件； b) GaN集成功率电路； c) 以上的晶圆级及封装级产品。
内容预览
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