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锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
Standard method for showing andmeasuring dislocation etch pits in indium antimonide single crystal
GB/T 11297.6-1989现行国家标准
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基础信息
标准号
GB/T 11297.6-1989
标准状态
现行
发布日期
1989-03-31
实施日期
1990-01-01
中国标准分类号
L32
主管部门
国家标准委
技术归口
国家标准委
标准简介
本方法采用硝酸-氢氟酸腐蚀剂腐蚀，适用于锑化铟原始晶片（111）铟面a位错的显示和测定。测量面偏离（111）面应不大于3°。
内容预览
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