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锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
Test method for resistivity and hall coefficient indium antimonide single crystals
GB/T 11297.7-1989现行国家标准
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基础信息
标准号
GB/T 11297.7-1989
标准状态
现行
发布日期
1989-03-31
实施日期
1990-01-01
中国标准分类号
L32
主管部门
国家标准委
技术归口
国家标准委
标准简介
本方法适用于长方体和薄片锑化铟单晶样品的电阻率和霍耳系数的测量。 本方法所采用的样品是从锑化铟单晶中切割制备的，在特定位置上施加电极接触，用直流方法测量样品的电阻率和霍耳系数，而后计算该样品的载流子浓度和载流子迁移率。 本方法适用于电阻率10～10Ω·cm的锑化铟单晶样品。
内容预览
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