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半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量

Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement

GB/T 41853-2022现行国家标准

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GB/T 41853-2022 · 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量

基础信息

标准号

GB/T 41853-2022

标准状态

现行

发布日期

2022-10-12

实施日期

2022-10-12

中国标准分类号

L55

国际标准分类号

31.080.99

主管部门

国家标准委

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

技术归口

国家标准委

标准简介

本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法,适用于硅-硅共熔键合、硅-玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式,以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。 本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。

内容预览

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