标准详情
硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method
GB/T 1551-2021现行国家标准
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PDF · 24 页 · 17.24MB
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基础信息
标准号
GB/T 1551-2021
标准状态
现行
发布日期
2021-05-21
实施日期
2021-12-01
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040
主管部门
国家标准委
发布部门
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
技术归口
国家标准委
标准简介
本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。 本文件适用于硅单晶电阻率的测试，其中直排四探针法可测试的P型硅单晶电阻率范围为7X10-4Ω·cm~8X103Ω·cm，n型硅单晶电阻率范围为7X10-4Ω·cm~1.5X10-4Ω·cm；直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率。测试范围为1X10-3Ω·cm~1X10-4Ω·cm，样品长度与截面最大尺寸之比不小于3：1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。
内容预览
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