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表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of boron in silicon
GB/T 40109-2021现行国家标准
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PDF · 16 页 · 5.35MB
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基础信息
标准号
GB/T 40109-2021
标准状态
现行
发布日期
2021-05-21
实施日期
2021-12-01
中国标准分类号
G04
国际标准分类号
71.040.40
主管部门
中国科学院
发布部门
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
技术归口
中国科学院
标准简介
本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法,以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。 本文件适用于硼原子浓度范围1 × 1016atoms/cm3~1×1020atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品,溅射弧坑深度在50nm及以上。
内容预览
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