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硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method
GB/T 14146-2021现行国家标准
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基础信息
标准号
GB/T 14146-2021
标准状态
现行
发布日期
2021-05-21
实施日期
2021-12-01
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040
主管部门
国家标准委
发布部门
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
技术归口
国家标准委
标准简介
本文件规定了电容-电压法测试硅外延层载流子浓度的方法，包括汞探针电容-电压法和无接触电容-电压法。 本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试，测试范围为4X101310cm-3~8 ～ 1016cm-3，其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行，其中无接触电容-电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。
内容预览
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