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半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
Test method for resistivity of semiconductor wafers and sheet resistance of semiconductor films—Noncontact eddy-current gauge
GB/T 6616-2023现行国家标准
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基础信息
标准号
GB/T 6616-2023
标准状态
现行
发布日期
2023-08-06
实施日期
2024-03-01
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040
主管部门
国家标准委
发布部门
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
技术归口
国家标准委
标准简介
本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。 本文件适用于测试直径或边长不小于25.0mm、厚度为0.1mm~1.0mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001Ω·cm~200Ω·cm，薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×10³Ω/☐~3.0×10³Ω/☐。本方法也可以扩展到其他半导体材料中，但不适用于品片径向电阻率变化的判定。
内容预览
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