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半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
GB/T 6219-1998现行国家标准
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基础信息
标准号
GB/T 6219-1998
标准状态
现行
发布日期
1998-11-17
实施日期
1999-06-01
中国标准分类号
L42
国际标准分类号
31.080.30
主管部门
工业和信息化部（电子）
技术归口
工业和信息化部（电子）
标准简介
本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅杨效应晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范与本空白详细规范一致。 本空白规范是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》DEC 747-10：1984）和GB/T 1260-900《半导体器件 分立器件规范》（IEC 747.11：1985）有关的一系列空白详细规范中的一个。
内容预览
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