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半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法

Test method for measuring surface metal contamination on semiconductor wafers —Total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy

GB/T 24578-2024现行国家标准

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GB/T 24578-2024 · 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法

基础信息

标准号

GB/T 24578-2024

标准状态

现行

发布日期

2024-07-24

实施日期

2025-02-01

中国标准分类号

H21

国际标准分类号

77.040

主管部门

国家标准委

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

技术归口

国家标准委

标准简介

本文件描述了半导体镜面晶片表面深度为5 nm以内金属元素的全反射X射线荧光光谱(TXRF)测试方法。 本文件适用于硅、绝缘衬底上的硅(SOI)、锗、碳化硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、锑化镓等单晶抛光片或外延片表面金属沾污的测定,尤其适用于晶片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定,测定范围:109 atoms/c㎡~1015 atoms/c㎡。 本文件规定的方法能够检测周期表中原子序数16(S)~92(U)的元素,尤其适用于钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、

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