标准详情
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
GB/T 14141-2009现行国家标准
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基础信息
标准号
GB/T 14141-2009
标准状态
现行
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
主管部门
国家标准委
发布部门
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
技术归口
国家标准委
标准简介
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10Ω～5000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。
内容预览
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