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硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
GB/T 26068-2010已废止国家标准
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基础信息
标准号
GB/T 26068-2010
标准状态
已废止
发布日期
2011-01-10
实施日期
2011-10-01
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
主管部门
国家标准委
发布部门
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
技术归口
国家标准委
标准简介
1.1 本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破 坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下,本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。 1.2 被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定,通常在0.051Ω.cm~11Ω.cm之间。?注:本检测方法适用于测量0.25us到>1ms范围内的载流于复合寿命.晕短可测寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率,最长可测值取决于试样的几何条件以及样片表面的钝
内容预览
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