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重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
GB/T 14847-2010已废止国家标准
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基础信息
标准号
GB/T 14847-2010
标准状态
已废止
发布日期
2011-01-10
实施日期
2011-10-01
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
主管部门
国家标准委
发布部门
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
技术归口
国家标准委
标准简介
本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于衬底在23℃电阻串小于0.02Ω?cm和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω?cm且外延层厚度大于2μm的n型和p型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测试0.5μm～2μm之间的n型和p型外延层厚度。
内容预览
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