标准详情
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
GB/T 14863-2013已废止国家标准
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基础信息
标准号
GB/T 14863-2013
标准状态
已废止
发布日期
2013-12-31
实施日期
2014-08-15
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
主管部门
工业和信息化部（电子）
发布部门
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
技术归口
工业和信息化部（电子）
标准简介
本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。
内容预览
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