标准详情
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon
GB/T 13389-2014现行国家标准
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基础信息
标准号
GB/T 13389-2014
标准状态
现行
发布日期
2014-12-31
实施日期
2015-09-01
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
主管部门
国家标准委
发布部门
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
技术归口
国家标准委
标准简介
本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂荆浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。 本标准适用于掺硼浓度10^14cm-3～1×1020cm-3,掺磷浓度3×10^13cm-3～1×10^20cm-3,掺砷浓度10^19cm-3～6×10^20cm-3。对掺硼、掺磷的硅单晶渗杂剂浓度可扩展到10^12cm-3。本标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算,但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算,或任何其他载流子浓度的换算。
内容预览
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