标准详情
采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry
GB/T 32651-2016现行国家标准
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基础信息
标准号
GB/T 32651-2016
标准状态
现行
发布日期
2016-04-25
实施日期
2016-11-01
中国标准分类号
H82
国际标准分类号
29.045
主管部门
国家标准委
发布部门
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
技术归口
国家标准委
标准简介
本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。 本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定，其中铁（Fe）、铬（Cr）、镍（Ni）、铜（Cu）、锌（zn）、硼（B）、磷（P）、钙（Ca）、钠（Na）、镁（Mg）、铝（A1）、砷（As）、（Sc）、（Ti）、钒（v）、锰（Mn）、钻（C。）、（Ga）等元素的测定范围为5 μg／kg～50mg／kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料，例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。
内容预览
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