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低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

Low-voltage fuses—Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

GB/T 13539.4-2016现行国家标准

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GB/T 13539.4-2016 · 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

基础信息

标准号

GB/T 13539.4-2016

标准状态

现行

发布日期

2016-04-25

实施日期

2016-11-01

中国标准分类号

K31

国际标准分类号

29.120.50

主管部门

中国电器工业协会

技术归口

中国电器工业协会

标准简介

本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体,该熔断体适用于标称电压不超过交流1000v或直流1500v的电路如适用,还可用于更高的标称电压的电路。 注1 此类熔断体通常称为“半导体熔断体”。 注2:在多数情况下,组合设备的一部分可用作熔断器底座由于设备的多样性,难以作出一般的规定组合设备是否适合作熔断器底座,宜由用户与制造厂协商。但是,如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件,他们应符合IEC60269-1:2006的相关要求。 注3:IEC60269-6专用于太阳能光伏系统的保护。 本部分

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