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发光二极管芯片点测方法
Probe test method for light emitting diode chips
GB/T 36613-2018现行国家标准
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基础信息
标准号
GB/T 36613-2018
标准状态
现行
发布日期
2018-09-17
实施日期
2019-01-01
中国标准分类号
L45
国际标准分类号
31.260
主管部门
工业和信息化部（电子）
发布部门
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
技术归口
工业和信息化部（电子）
标准简介
本标准规定了发光二极管芯片（以下简称“芯片”）光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测条件和点测方法。 本标准适用于批量生产的可见光发光二极管正装芯片和薄膜芯片的检测方法。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。
内容预览
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