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硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method
GB/T 26068-2018现行国家标准
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基础信息
标准号
GB/T 26068-2018
标准状态
现行
发布日期
2018-12-28
实施日期
2019-11-01
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040
主管部门
国家标准委
发布部门
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
技术归口
国家标准委
标准简介
本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试方法。 本标准适用于硅锭和经过抛光处理的n型或P型硅片（当硅片厚度大于1mm时，通常称为硅块）载流子复合寿命的测试。在电导率检测系统灵敏度足够的条件下，本标准也可用于测试切割或经过研磨、腐蚀的硅片的载流子复合寿命。通常，被测样品的室温电阻率下限在0.05Ω · cm~10Ω · cm之间，由检测系统灵敏度的极限确定。载流子复合寿命的测试范围为大于0.1μs，可测的最短寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最
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