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非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
YS/T 679-2008已废止行业标准
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基础信息
标准号
YS/T 679-2008
标准状态
已废止
发布日期
2008-03-12
实施日期
2008-09-01
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
主管部门
国家发展和改革委员会
发布部门
国家发展和改革委员会
技术归口
全国有色金属标准化技术委员会
标准简介
本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。 本标准是为单晶硅样品的应用而开发的，可用于测量其他半导体，如砷化稼(同时调整相应的光照波长(能量)范围和样品的制备工艺)上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本标准也可用于硅片的洁净区的宽度测定。 本标准对样品的电阻率和寿命的应用极限尚未确定，但已经成功的对电阻率(0.1～50)Ω·cm、载流子寿命短至2 ns的p 91
内容预览
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