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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法
Dynamic reverse bias (DRB) test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET)
T/CASAS 046-2024现行团体标准
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基础信息
标准号
T/CASAS 046-2024
标准状态
现行
发布日期
2024-11-19
实施日期
2024-11-19
国际标准分类号
31.080.01
主管部门
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准简介
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。 由于SiC MOSFET在功率变换中常面临高压、高频、高温等复杂应力条件，其终端充放电效应，在开关性能明显优于Si器件的SiC器件中更为突出，为了验证终端的可靠性不会因器件导通和关断引起的电场强度持续变化而受到影
内容预览
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