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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法
Dynamic gate stress test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor（SiC MOSFET）
T/CASAS 045-2024现行团体标准
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基础信息
标准号
T/CASAS 045-2024
标准状态
现行
发布日期
2024-11-19
实施日期
2024-11-19
国际标准分类号
31.080.01
主管部门
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准简介
碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)具有击穿电压高、导通电流大、开关速度快、功率损耗小、高温稳定性好等优点，被认为是最具前景的半导体器件之一，它具有能够大幅提高现有装置集成的功率密度、效率、高温工作能力以及抗辐射的能力，与此同时还降低了系统的体积和重量，因此在智能电网、光伏发电、电动汽车等领域，都具有非常广阔的应用前景。SiC MOSFET在各类动态过程中会出现各类物理变化的迟滞，从而发生由于内部结构与外电路的不匹配，或内部各结构之间的不匹配而引发的应力叠加，或瞬态失效问题。
内容预览
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