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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法
High temperature gate bias test method for silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET)
T/CASAS 042-2024现行团体标准
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基础信息
标准号
T/CASAS 042-2024
标准状态
现行
发布日期
2024-11-19
实施日期
2024-11-19
国际标准分类号
31.080.01
主管部门
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准简介
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频、高湿等极端环境下工作的电子器件。SiC MOSFET的高温可靠性试验是使器件在高温或高温高湿的环境下，承受高电压应力，以暴露跟时间、应力相关的缺陷。器件能否承受规定应力条件下的试验是评估器件实际应用可靠性的重要手段。 由于SiC/SiO2界
内容预览
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