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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法
Switching dynamic test method for sillicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET) power device
T/CASAS 033-2024现行团体标准
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基础信息
标准号
T/CASAS 033-2024
标准状态
现行
发布日期
2024-11-19
实施日期
2024-11-19
国际标准分类号
31.080.01
主管部门
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准简介
得益于高压、高频、高温等优异特性，SiC功率器件在交通电气化、新能源发电等领域具有不可替代的作用。然而，SiC功率器件的额定电压更高、开关速度更快、工作温度更宽，突破了传统Si器件的技术边界，传统Si器件的开关动态测试方法，已无法满足SiC器件的新兴发展需求，给SiC功率器件的芯片设计、封装测试和装备研发，带来了严峻挑战。现有的SiC功率器件开关动态测试，由于缺乏定量的技术规范和测试方法，测试过程难以保证足够的精准和稳定；由于缺乏广泛的技术共识和行业认同，测试结果难以实现有效的溯源和评比。如何实现SiC功
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