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三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范

Technical specification for gallium nitride field effect transistor used in line terminal units and triphase electricity meters

T/CASAS 022-2022现行团体标准

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T/CASAS 022-2022 · 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范

基础信息

标准号

T/CASAS 022-2022

标准状态

现行

发布日期

2022-12-09

实施日期

2022-12-09

国际标准分类号

31.080.01

主管部门

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

标准简介

本文件规定了应用于三相智能电表的氮化镓场效应晶体管(以下简称“GaN晶体管”)的术语和定义、符号和缩略语、技术要求、试验方法、检测规则以及包装、运输及储存。 本文件适用于三相智能电表用关态源漏电压V_DS额定值为900 V、系统输出功率范围20 W- 100 W、工作频率40 kHz- 500 kHz的氮化镓场效应晶体管。小型线路终端等应用领域电源模块中的晶体管可参考使用。

内容预览

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