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三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
Technical specification for gallium nitride field effect transistor used in line terminal units and triphase electricity meters
T/CASAS 022-2022现行团体标准
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PDF · 13 页 · 537.99KB
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基础信息
标准号
T/CASAS 022-2022
标准状态
现行
发布日期
2022-12-09
实施日期
2022-12-09
国际标准分类号
31.080.01
主管部门
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准简介
本文件规定了应用于三相智能电表的氮化镓场效应晶体管(以下简称“GaN晶体管”)的术语和定义、符号和缩略语、技术要求、试验方法、检测规则以及包装、运输及储存。 本文件适用于三相智能电表用关态源漏电压V_DS额定值为900 V、系统输出功率范围20 W- 100 W、工作频率40 kHz- 500 kHz的氮化镓场效应晶体管。小型线路终端等应用领域电源模块中的晶体管可参考使用。
内容预览
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