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电子封装用高硅铝合金化学分析方法痕量杂质元素的测定辉光放电质谱法
Methods for chemical analysis of high silicon aluminum alloy for electronic packaging Determination of trace impurity elements contents—Dlow discharge mass spectrometry
T/COS 029-2025现行团体标准
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基础信息
标准号
T/COS 029-2025
标准状态
现行
发布日期
2025-10-01
实施日期
2025-10-01
主管部门
中国兵工学会
标准简介
本文件规定了电子封装用高硅铝合金（硅添加量≥40%）中痕量杂质元素含量的测定方法。 本文件适用于电子封装用高硅铝合金（硅添加量≥40%）中痕量杂质元素含量的测定。测定范围覆盖除气体元素外的其他杂质元素，质量分数为0.1 ㎎/㎏-500 ㎎/㎏，且经标准样品校正后，可对样品进行准确的定量分析。
内容预览
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