硅集成电路芯片工厂设计规范

基础信息

标准简介

GB 50809-2012.Code for design of silicon integrated circuits wafer fab.1总则1.0.1 为在硅集成电路芯片工厂设计中贯彻执行国家现行法律、法规,满足硅集成电路芯片生产要求，确保人身和财产安全,做到安全适用、技术先进、经济合理、环境友好,制定本规范。1.0.2 GB 50809适用于新建、改建和扩建的硅集成电路芯片工厂的工程设计。1.0.3 硅集成电路芯片工厂的设计应满足硅集成电路芯片生产工艺要求,同时应为施工安装、调试检测、安全运行、维护管理提供必要条件。1.0.4 硅集成电路芯片工厂的设计,除应符合本规范外,尚应符合国家现行有关标准的规定。2术语2.0.1 硅片 wafer从拉伸长出的高纯度单晶硅的晶锭经滚圆、切片及抛光等工序加工后所形成的硅单晶薄片。2.0.2 线宽 critical dimension为所加工的集成电路电路图形中最小线条宽度,也称为特征尺寸。2.0.3 洁净室 clean room空气悬浮粒子浓度受控的房间。2.0.4 空气分子污染 airborne molecular contaminant空气中所含的对集成电路芯片制造产生有害影响的分子污染物。2.0.5 标准机械接口 standard mechanical interface适用于不同生产设备的一种通用型接口装置,可将硅片自动载人设备,并在加工结束后将硅片送出,同时保护硅片不受外界环境污染。2.0.6 港湾式布置 bay and chase生产工艺设备按不同的洁净等级进行布置,并以隔墙分隔生产区和维修区。

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