雪崩光电二极管检测方法

基础信息

标准简介

YD/T 835-1996. 1范围 YD/T 835规定了带尾纤或不带尾纤的雪崩光电二极管光电参数的检测项目及检测方法。 YD/T 835适用于带尾纤或不带尾纤的雪崩光电二极管的光电參数检测。 2引用标准 下列标准所包含的条文,通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时,所示版本均为有效。所有标准都会被修订,使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。 IEC-747-5-1992半导体器件 分立器件第5 部分:光电子器件 3术语和符号 3.1 术语 3.1.1雪崩光电二极管(APD) 在一定反向偏置电压作用下,由于载流子倍增初始光电流在其内部能获得放大的光电二极管。 3.1.2反向电流 IR(h)(在光照射下) 当雪崩光电二极管受到入射光照时总的反向电流。 3.1.3暗电流 IR(cd) 无光照时雪崩光电二极管的反向电流。 3.1.4 光电流Ip 由光照射雪崩光电二极管所产生的净反向电流。 3.1.9光谱响应 雪崩光电二极管的响应度随波长的变化。 3.1.9.1 峰值响应波长p 光谱响应最大值所对应的波长。 3.1.9.2极限波长 入/2和01 λ/2:光谱响应下降到最大值的一半处所对应的波长。 λo1:光谱响应下降到最大值的10%处所对应的波长。 3.1.9.3 光谱响应范围 雪崩光电二极管短波极限波长与长波极限波长之间的光谱段。 3.1.10 倍增因子M 在光照射下,有载流子倍增时的光电流Ip与初始光电流Ipo之比(见图1)。

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