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半导体分立器件3DA518型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
SJ 50033/171-2007现行行业标准
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基础信息
标准号
SJ 50033/171-2007
标准状态
现行
发布日期
2022-10-17
实施日期
2022-10-17
标准简介
SJ 50033/171-2007.Semiconductor discrete devicesDetail specification for type 3DA518 silicon microwave pulse power transistor. 1范围 SJ 50033/171规定了3DA518型硅微波脉冲功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。按GJB 33A-1997中1.3的规定,提供的质址保证等级为普军级、特军级和超特军级,分别用字母JP、JT和JCT表示。 2引用文件 下列文件中的有关条款通过引用而i成为本规范的条款。凡注日期或版次的引用文件,其后的任何修改单(不包括勘误的内容)或修订版本都不适用于本规范,但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版本的可能性。凡不注日期或版次的引用文件,其最新版本适用于本规范。 GB/T 4587-1994半导体分立器件和集成电路第7部分: 双极型晶体管 GB/T 7581半导体分立器件外形尺寸 GJB 33A-1997半导体分立器件总规范 GJB 128A-1997半导体分立器件试验方法 3要求 3.1 总则 器件应符合本规范和GJB 33A-1997规定的所有要求。本规范的要求与总规范不一致时,应以本规范为准。 3.2设计、结构和外形尺寸 3.2.1引出端材料和镀涂层 . 发射极和集电极引出端材料为可伐合金带,基极引出端为钨铜,引出端表面镀金。 3.2.2器件结构 本器件是采用硅外延平面结构的NPN型晶体管,并具有阻抗匹配网络,采用金属陶瓷外壳封装。
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