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通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法
SJ/T 10627-1995现行行业标准
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基础信息
标准号
SJ/T 10627-1995
标准状态
现行
发布日期
1995-04-22
实施日期
1995-10-01
中国标准分类号
H82
主管部门
电子工业部
发布部门
电子工业部
标准简介
SJ/T 10627-1995.Test methods for oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction. 1主题内容与适用范围 1.1主题内容 SJ/T 10627规定了通过测定热退火前后硅片中间隙氧含量的减少来表征氧沉淀特性的方法。 1.2 适用范围. 本标准适用于室温电阻率大于0.10. cm的N型或P型直拉硅晶片,其热循环可为单一温度或双温度。 2引用标准 GB/T1557硅单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 14143 300~900μum 硅片间隙氧含量的红外吸收测量方法 3方法原理概要 本方法是用红外光谱仪测定硅晶片中间隙氧含量在退火前后的减少来确定氧的沉淀特性。氧的沉淀与硅片退火前后间隙氧含量的减少具有对应关系。 4方法原理概要 a付里叶变换红外光谱仪或光栅式红外分光光度计,波数为1000cmn-1处,分辨率优于4cm-1; b.热退火炉:温度范围750~ 1050C,控温精度士2C; c合适的石英管、石英舟; d.气管和进样装置。 5试验样品的选择和准备 5.1选择一组晶片作试验, 这组晶片中包括氧浓度整个范围。在问隙氧含量([O])0.5ppma间隔范围内，至少选择两个晶片。例如，如果一组[O]范围是3ppma, 则这组至少选择12个晶片。
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