半导体分立器件GP、GT和GCT级CS1、CS4、CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

基础信息

标准简介

SJ 20011-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for silicon N - channel deplition mode field- effect transistor of types CS1、CS4、CS10 GP ,GT and GCT classes. 1范围 1.1主题内容 SJ 20011规定了CS1型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB33--85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 1.2 外形尺寸 外形尺寸应符合GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-01B 型及如下规定，见图1: 2引用文件 GB 4586-84场效应晶体管测试方法 GB 7581-87半导体分 立器件外形尺寸 GJB 33-85半导体分立器件总规范 GJB 128-86半导体分立器件试验方法 3要求 3.1详细要求 各项要求应按GJB33和本规范的规定。 3.2设计结构和外形尺寸 器件的设计结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。 3.2.1引出端材料和涂层 引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时,在合同或订货单中应明确规定(见6) . 3.3标志 器件的标志应按GJB33的规定。 4质量保证规定 4.1 抽样和检验 抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。 4.2鉴定检验 鉴定检验应按G!B33的规定。 4.3筛选(仅对GT和GCT级) 筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行,超过规定极限值的器件不应接收。

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