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半导体分立器件2CW1022型硅双向电压调整二极管详细规范
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基础信息
标准号
SJ 50033/162-2003
标准状态
现行
发布日期
2022-10-18
实施日期
2022-10-18
标准简介
SJ 50033/162-2003.Semiconductor discrete device Detail specification of type 2CW1022 for silicon bidirectional voltage regulator diodes. 1范围 SJ 50033/162规定了2CW1022型硅双向电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求。 2引用文件 下列文件中的有关条款通过引用而成为本规范的条款。凡注日期或版次的引用文件,其后的任何修改单(不包括勘误的内容)或修订版本不适用于本规范，但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版本的可能性。凡不注日期或版次的引用文件，其最新版本适用于本规范。 GB/T 6571--1995半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 GB/T 7581--87半导 体分立器件、外形尺寸 GJB 33A- -97半导体分立器件、总规范 GJB 128A- -97半导体分立器件、试验方法 3要求 3.1 总则 2CW1022型硅双向电压调整二极管应符合本规范和GJB 33A-97规定的所有要求。本规范的要求与总规范不- -致时， 应以本规范为准。 3.2设计、 结构和外形尺寸 3.2.1概述 器件的设计和结构应按GJB 33A- 97 和本规范的规定。 3.2.2引出端材料和镀涂层 引出端材料为无氧铜丝,-引出端表面为锡。 3.2.3 器件结构 器件采用玻璃钝化实体封装结构，芯片和引出端之间采用高温熔焊键合. 3.2.4外形尺寸 外形尺寸除引线为中0.5外，应符合GB/T 7581-87中D2-10A型和本规范的规定(见图1)。
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