金属氧化物半导体气敏元件试验方法

基础信息

标准简介

SJ 20079-1992.Test methods for gas sensors of metal-oxide semiconductor. 1范围 1.1.主题内容 SJ 20079规定了军用金属氧化物半导体气敏元件的环境试验方法、电负荷试验方法和其它试验方法。 SJ 20079没有规定试验中的检测项目、检测方法及其技术细节,检测时可按相应技术规范的规定进行。 1.2适用范围 本标准适用于军事装备用金属氧化物半导体气敏元件(以下简称元件或试样)的环境试验,其它类型的气敏元件亦可参照使用。 2引用标准 GB 2423-81电工电子产 品基本环境试验方法 GJB 360-87电子 及电气元件试验方法 SJ 20025--92金属氧化物半导体气敏元件总规范 SJ 20026--92金属氧化物半导体气敏元件测试方法 3定义 本章无条文。 4一般要求 4.1试验程序 试验程序是指一个试验方法所包括的一整套操作过程,通常包括下列各项: a.预处理; b.初始检测; c.条件试验; d.恢复(有必要时); e.最后检测。 在条件试验期间,根据需要可能要做中间检测。中间检测及试验程序中各项的技术细节和要求按详细规范的规定进行。 4.2标准大气条件 4.2.1正常大气条件 除非另有规定,一般试验及其恢复在如下的正常大气条件下进行: 温度:15~35"C ; 相对湿度:45%~75%; 气压: 86~ 106kPa. 4.2.2仲 裁试验大气条件 对环境温、湿度有要求的试验在如下的仲裁大气条件下进行: 温度:25士1C ; 相对湿度:48%~52%; 气压:86~ 106kPa. 在进行电测量前应使元件温度与测量环境温度达到平衡并满足测试方法规定的--般注意事项。 4.3试验顺序 当对同一元件进行两种(或两种以上)试验项目时,试验顺序应按SJ20025或详细规范中各表顺序进行。 4.4检测 4.4.1外部目检 外部目检应包括: a.标志的一致性和耐久性; b.包括引出端在内的封装损坏; c.外部封装质量。

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