半导体分立器件2CW2970~3015、2CW3016~3051型硅电压调整二极管详细规范

基础信息

标准简介

SJ 20186-1992.semiconductor discrete device Detail specification for silicon voltage regulator diodes for types 2CW2970~3015,2CW3016~3051. 1范围 1.1主题内容 SJ 20186规定了2CW2970~3015型的B型(标准极性)、RB型(反极性)硅电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求。该器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP ,GT和GCT级)。 1.2 外形尺寸 外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的C1-01A型和本规范图1的规定。 2有关文件 GB 6571- -86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法. GB 7581- -87半导体分立器件外形尺寸 GJB 33- -85半导体分立器件总规范 GJB 128- -86半导体分立器件试验方法 3要求 3.1 详细要求 各项要求应按GJB 33和本规范的规定。 3.2 设计、结构和外形尺寸 半导体二极管的设计、结构和外形尺寸应按本规范图1的规定,标准极性器件(B型)的阳极应接螺栓,反极性器件(RB型)的阴极应接螺栓。 3.2.1引线涂层 引线表面应有金、银或锡的镀层。若需要选择引线涂层,则应在合同中规定(见6条)。 3.3标志 所有器件的标志均应按G]B 33的规定。 3.3.1反极性器件 阴极接螺栓。

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