半导体分立器件2CL3型硅高压整流堆详细规范

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标准简介

SJ 20066-1992.Semiconductor discrete deviceDetail specification for type 2CL3 silicon high voltage rectifier stack. 1范围 1.1主题内容 SJ 20066规定了2CL3型硅高压整流堆(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33(半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的两个等级(GP和GT级)。 1.2外形尺寸 外形尺寸见图1。 2引用文件 GB 4023-86半导体分立器件第2部分整流二极管 GB 6571-86小功率信号二极管稳压及基准电压二极管测试方法 GJB 33- -85半导体分立器件总规范 GJB 128- -86半导体分立器件试验方法 3蔓求 3.1详细要求 各项婴求应符合GJB 33和本规范的规定。 3.2设计、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范图1的规定。 3.2.1引出端涂 层 引出端表面应为锡层.对引出端涂层另有要求时,应在合同或订货单中规定(见6.1条)。 3.3 标志 标志应按GJB 33和本规范的规定。 3.3.1极性标志 极性标志如图1所示。 4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定. 4.2鉴定检验 鉴定检验应按GJB 33的规定。 4.3筛选(仅对 GT级) 筛选应按GJB 33的表2和本规范的规定。 4.4质量- 致性检验 质量- -致性检验应按GJB 33的规定,由A组、B组和C组检验或试验组成。 4.4.1 A组检验 A组检验应按GJB 33和本规范中表1的规定进行。 4.4.2 B组检验 B组检验应按GJB 33和本规范中表2的规定进行。 4.4.3 C 组检验 C组检验应按GJB 33和本规范中表3的规定进行。 4.5检验和试验方法 检验和试验方法应按本规范相应表的规定。

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