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碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法
T/IAWBS 012-2019现行团体标准
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基础信息
标准号
T/IAWBS 012-2019
标准状态
现行
发布日期
2019-12-27
实施日期
2019-12-31
国际标准分类号
29.045
主管部门
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
标准简介
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法，表面质量包括划痕、凹坑、凸起、颗粒等。本标准适用于经化学机械抛光及最终清洗工序的碳化硅单晶抛光片，抛光片直径为50.8 mm、76.2 mm、100.0 mm、150.0 mm，厚度为300 μm~1000 μm。
内容预览
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