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导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法
T/IAWBS 011-2019现行团体标准
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基础信息
标准号
T/IAWBS 011-2019
标准状态
现行
发布日期
2019-12-27
实施日期
2019-12-31
国际标准分类号
29.045
主管部门
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
标准简介
本标准规定了用非接触涡流法测定导电碳化硅单晶片电阻率的方法。本标准适用于200μm到1000μm厚的碳化硅单晶片。本标准适用于电阻率0.005Ω·cm到200Ω· cm和表面电阻0.032 Ω/□到3000Ω/□的范围。
内容预览
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