标准详情
SiC晶片的残余应力检测方法
T/IAWBS 008-2019现行团体标准
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基础信息
标准号
T/IAWBS 008-2019
标准状态
现行
发布日期
2019-12-27
实施日期
2019-12-31
国际标准分类号
29.045
主管部门
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
标准简介
本标准规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本标准适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。
内容预览
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